阎有花
中国钢铁期刊网. 2010, 28(1): 1-1.
以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM 和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分, 采用XRD 表征了薄膜的组织结构, 并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好。当速度为1.0cm/s时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,晶粒尺寸保持在1μm左右,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。